第249章 第三代半導體材料 (第2/4頁)
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大學大二年級的學生們日常的教學工作由齊春生這個教務處主任主持著，大一的新生們每天都在軍訓。
由於今年的軍訓並沒有什麼太豐厚的獎勵，所以丁躍對於軍訓的關注也不多。
丁躍趁著這段時間，與江南科技大學的周文教授、沈叢德教授和王尚忠教授三人，一起每天在物理半導體實驗室中研製氮化鎵半導體材料。
此前丁躍和三位教授聯合發表了多篇關於夏國第三代半導體材料的論文，然後受到了國內諸多企業，甚至是上面的注意。
畢竟第三代半導體材料在國內如果可以實現的話，半導體領域將會有一個巨大的進步。
第三代半導體材料裡面，氮化鎵就是非常關鍵的一環。
相比起第一代半導體材料矽，以及第二代半導體材料砷化鎵，第三代半導體材料氮化鎵，將會在各方面都會有一個非常不錯的提升。
現在。
丁躍與周文教授等人在氮化鎵半導體材料技術上面的研究，已經到了一個非常關鍵的時刻。
從9月13日開始，一直到9月21日，連續八天的時間，除了吃飯睡覺休息，丁躍幾乎每時每刻都和周文教授他們一直在實驗室裡面。
直到9月22日早上。
丁躍終於從實驗室出來了，昨天晚上一整晚丁躍都在實驗室裡，周文教授、沈叢德教授和王尚忠教授他們由於年紀大了，凌晨三四點鐘的時候回去休息了。
剩下的實驗研製部分並不多，就全部交給丁躍來完成。
如今！
丁躍終於在和三位教授的齊心協力之下，完成了氮化鎵半導體材料研發！
由於氮化鎵半導體材料具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩定性非常好等性質和強的抗輻照能力，因此在晶片、光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。
丁躍這一次和周文教授等人研究的主要是在晶片與功率器件上面的突破。
研發出來的氮化鎵半導體材料可以用於器件設計與製造領域。
主要有晶片，而晶片之中包括LED晶片、射頻晶片、鐳射晶片等。
射頻晶片的重要應用領域那便是5G基站了！
還有功率器件，氮化鎵在功率器件的應用最廣泛的就是充電器。
走出實驗室後，丁躍打了一個哈欠。
這時丁躍發現秘書文若涵居然在實驗室外面等著自己。
